在低溫環(huán)境下進(jìn)行ARPES（角分辨光電子能譜）實(shí)驗(yàn)，主要基于以下關(guān)鍵原因：

低溫能夠顯著減小電子的熱漲落效應(yīng)，從而降低由溫度引起的能量展寬。熱漲落會(huì)導(dǎo)致電子能級(jí)模糊，影響譜線的清晰度；而溫度越低，熱展寬越小，ARPES測(cè)得的能帶結(jié)構(gòu)就越*確，這有助于研究人員更清晰地觀測(cè)材料的電子結(jié)構(gòu)。

此外，某些量子現(xiàn)象僅在低溫下才能穩(wěn)定存在。例如，在準(zhǔn)一維材料(TaSe?)?I中，高溫時(shí)表現(xiàn)為外爾半金屬態(tài)，而在低溫下會(huì)因電荷密度波相變轉(zhuǎn)變?yōu)檩S子絕緣體。這種拓?fù)湎嘧兊挠^測(cè)需要結(jié)合低溫ARPES與XRD等手段，低溫環(huán)境在此過(guò)程中起到了至關(guān)重要的作用。

低溫還能有效抑制雜質(zhì)引起的電子散射的熱激活行為。以石墨烯體系為例，當(dāng)溫度升高至34 K以上時(shí)，原本由雜質(zhì)誘導(dǎo)的全域谷間散射會(huì)消失，新形成的狄拉克錐發(fā)生各向異性劈裂。這表明低溫對(duì)維持特定量子干涉模式至關(guān)重要，有助于保持材料的量子態(tài)穩(wěn)定。

盡管光源本身（如氦燈）存在光子能量展寬和非極化特性等固有限制，但低溫環(huán)境仍能在很大程度上彌補(bǔ)這些不足，使實(shí)驗(yàn)條件更接近理想狀態(tài)，從而獲得更可靠的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)。