在當今數字化時代，半導體產業的發展日新月異，探針臺作為其中的關鍵設備，正逐漸受到越來越多的關注。本文將詳細介紹探針臺的定義、功能、應用領域以及未來發展趨勢，幫助您解鎖半導體測試領域的無限可能。一、探針臺的定義與功能探針臺（ProbeStation）是一種用于測試半導體器件性能的設...
點擊詳情2026
2.28真空腔體是一種能夠承受一定壓力差的密閉容器，其內部處于低或超高真空狀態。這種獨特的性質使得真空腔體在眾多高科技領域中有著廣泛的應用。*先，在半導體制造業中，真空腔體發揮著至關重要的作用。隨著微電子技術的飛速發展，集成電路的線寬不斷縮小，對制造工藝的要求也越來越高。在這個過程中，高溫處理成為關鍵步驟之一。為了確保在高溫環境下芯片不會受到外界氣體的污染或者氧化，整個工藝過程需要在高度潔凈且溫度受控的環境中進行。這時，真空腔體便派上了用場。它不僅能夠提供必要的隔離環境，還能通過*確...
點擊詳情2025
10.18真空腔體在半導體制造中扮演關鍵角色，為光刻、薄膜沉積、離子注入等精密工藝提供純凈、穩定的真空環境。其加工制造涵蓋材料選擇、精密加工、表面處理等環節，當前面臨材料加工難度、密封性能控制等技術挑戰。真空腔體的制作材料選擇需要綜合考慮強度、放氣率、耐腐蝕性以及特定環境適應性等因素。金屬材料中，不銹鋼憑借優異的耐腐蝕性和低放氣率成為超高真空系統的*選，常用于半導體刻蝕腔體和粒子加速器；鋁合金則以輕量化和高導熱性見長，適用于衛星推進劑儲罐等需要減輕重量的場合；鈦合金因其無磁性和耐高溫特...
點擊詳情2025
10.18晶圓強磁場退火熱處理裝備可以將被測樣品同時置于強磁場、高真空、高溫、氣氛環境中，同時也可以單獨或任意組合這三種實驗環境，滿足不同樣品在不同環境下的測試要求。適應范圍：高溫、高真空、強磁場環境中加熱或去磁的各種磁性材料。性能指標參數磁體軸線上，縱向磁場分布詳見附件電磁設計數據磁體均勻區縱向磁場均勻度小于0.1%溫孔軸心和磁場軸心偏差（包括平移和傾斜）小于0.2mm勵磁電流小于120A，軸心磁場達到12T常溫到超導工作時間應小于48小時。安*保護高溫報警：設備發出警報后自動切斷輸...
點擊詳情2025
10.16概述晶圓強磁場退火熱處理裝備可以將被測樣品同時置于強磁場、高真空、高溫、氣氛環境中，同時也可以單獨或任意組合這三種實驗環境，滿足不同樣品在不同環境下的測試要求。適應范圍：高溫、高真空、強磁場環境中加熱或去磁的各種磁性材料。設備原理北京錦正茂科技有限公司生產的高溫真空磁場加熱爐系統，是有升溫高溫爐，高溫爐加熱電源，Labview控制軟件（選配），超導磁體，高精度電源，分子泵組，水冷機組共同組成的一套反饋調節的加熱系統。該高溫磁場加熱爐系統是由分子泵組中的機械泵（干泵）先對真空腔...
點擊詳情2025
10.16北京錦正茂科技有限公司生產的高溫真空磁場加熱爐系統，是由升溫高溫爐，高溫爐加熱電源，Labview控制軟件，電磁鐵，高精度雙極性恒溫電源，分子泵組，水冷機組共同組成的一套反饋調節的加熱系統。該高溫磁場加熱爐系統是由分子泵組中的機械泵（干泵）先對真空腔體（樣品腔）進行粗抽，達到可以開啟分子泵的極限真空時，在開啟分子泵進行高真空的抽取，達到客戶所需的真空度。打開軟件，通過在軟件中輸入需要的磁場值和溫度值，通過閉循環反饋調節，使設備內樣品的溫度自動控制并穩定在某一個溫度值，軟件可以...
點擊詳情2025
10.15主要技術指標：※溫度范圍：室溫—350℃（硅片上邊溫度）※控溫精度：±1℃※溫度分辨率：0.1℃※樣品尺寸：8英寸（需要有固定夾具，還有10mmx10mm,20mmx20mm樣品也需要考慮單獨固定）※樣品溫度：精圓上單獨放一個溫度計，測量精圓表面溫度（溫度計封裝在鍍金無氧銅塊內，銅塊與精圓接觸測溫，使用比較細的軟線方便移動與測量）※磁場強度：＞1000oe（樣品測試處磁場）※持續工作時間：5小時※樣品臺尺寸：210mm（根據實際可更改，不小于8英寸），※樣品臺采...
點擊詳情2025
10.15錦正茂高低溫真空探針臺可進行真空環境下的高低溫測試（4.2K~500K），可升級加載磁場，低溫防輻射屏設計，樣品臺采用高純度無氧銅制作，溫度均勻性更好，溫度傳感器采用有著良好穩定性和重復性的PT100或者標定過的硅二極管作為測溫裝置，支持光纖光譜特性測試，兼容高倍率金相顯微鏡，可微調移動，器件的高頻特性(支持頻率上達67GHz)，探針熱沉設計，LD/LED/PD的光強/波長測試，自動流量控制，材料/器件的IV/CV特性測試等。高低溫真空探針臺應用于高低溫真空環境下的芯片測試，...
點擊詳情2025
10.14探針臺探針與樣品的接觸方式根據應用場景及設備類型的不同，主要可分為以下幾種形式：機械定位接觸式通過X/Y/Z軸旋鈕或移動手柄手動調節探針座位置，逐步將探針*端移動至待測點上方，再通過Z軸下壓完成接觸。此方式需結合顯微鏡觀察，確保探針與樣品表面精準對齊。在顯微鏡低倍物鏡下定位樣品后，切換高倍物鏡微調待測點位置，再通過探針座三軸微調旋鈕實現接觸。利用機械手控制探針臂的移動，將探針*端**定位至半導體器件的Pad或晶圓測試點，通過壓板下降建立電氣連接。真空吸附固定式樣品通過真空卡盤...
點擊詳情2025
10.14
